Наукова періодика України - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Повнотекстовий пошук

Знайдено в інших БД:

Реферативна база даних (13)

Список видань за алфавітом назв:

A B C D E F G H I J L M N O P R S T U V W

А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Авторський покажчик Покажчик назв публікацій

Пошуковий запит: (<.>A=Neimash V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 13 Представлено документи з 1 до 13
1.	Neimash V. B. Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon, obtained by vapor deposition in vacuum [Електронний ресурс] / V. B. Neimash, V. M. Poroshin, P. Ye. Shepeliavyi, V. O. Yukhymchuk, V. V. Melnyk, V. A. Makara, A. G. Kuzmich // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 4. - С. 331-335. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_4_5 The influence of tin impurity on amorphous silicon crystallization was investigated using the methods of Raman scattering, Auger spectroscopy at ion etching, scanning electron microscopy and X-ray fluorescence microanalysis in thin films of Si:Sn alloy manufactured by thermal evaporation. Formation of Si crystals of the 2 to 4-nm size has been found in the amorphous matrix alloy formed at the temperature <$E 300~symbol Р roman C>. Total volume of nanocrystals correlates with the content of tin and can comprise as much as 80 % of the film. The effect of tin-induced crystallization of amorphous silicon occurred only if there are clusters of metallic tin in the amorphous matrix. The mechanism of tin-induced crystallization of silicon that has been proposed takes into account the processes in eutectic layer at the interface metal tin - amorphous silicon. Попередній перегляд: Завантажити - 812.867 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
2.	Povarchuk V. Yu. Influence of γ-irradiation on initial magnetic permeability of amorphous and nanocrystalline Fe−Si−B-based alloys [Електронний ресурс] / V. Yu. Povarchuk, V. K. Nosenko, A. M. Kraitchinskii, V. B. Neimash, M. M. Kras’ko, V. V. Maslov // Ukrainian journal of physics. - 2012. - Vol. 57, № 3. - С. 345-349. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2012_57_3_10 Попередній перегляд: Завантажити - 289.781 Kb Зміст випуску Цитування
3.	Neimash V. B. Microstructure of thin Si−Sn composite films [Електронний ресурс] / V. B. Neimash, V. M. Poroshin, A. M. Kabaldin, V. O. Yukhymchuk, P. E. Shepelyavyi, V. A. Makara, S. Yu. Larkin // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 9. - С. 865-871. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_9_11 Попередній перегляд: Завантажити - 2.178 Mb Зміст випуску Цитування
4.	Neimash V. B. Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon [Електронний ресурс] / V. B. Neimash, A. O. Goushcha, P. E. Shepeliavyi, V. O. Yukhymchuk, V. A. Dan’ko, V. V. Melnyk, A. G. Kuzmich // Ukrainian journal of physics. - 2014. - Vol. 59, № 12. - С. 1168-1176. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2014_59_12_7 Попередній перегляд: Завантажити - 3.023 Mb Зміст випуску Цитування
5.	Neimash V. B. Physical properties of radiation-crosslinked polyvinyl alcohol–polyethylene glycol hydrogels from the viewpoint of their application as medical dressings [Електронний ресурс] / V. B. Neimash, H. D. Kupianskyi, I. V. Olkhovyk, V. Yu. Povarchuk, I. S. Roguts'kyi // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 5. - С. 402-412. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_5_8 Попередній перегляд: Завантажити - 1.029 Mb Зміст випуску Цитування
6.	Neimash V. Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon [Електронний ресурс] / V. Neimash, G. Dovbeshko, P. Shepelyavyi, V. Danko, V. Melnyk, M. Isaiev, A. Kuzmich // Ukrainian journal of physics. - 2016. - Vol. 61, № 2. - С. 143-149. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2016_61_2_9 Попередній перегляд: Завантажити - 846.677 Kb Зміст випуску Цитування
7.	Neimash V. B. Tin-induced crystallization of amorphous silicon under pulsed laser irradiation [Електронний ресурс] / V. B. Neimash, V. Melnyk, L. L. Fedorenko, P. Ye. Shepelyavyi, V. V. Strilchuk, A. S. Nikolenko, M. V. Isaiev, A. G. Kuzmych // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 9. - С. 806-817. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_9_9 The process of tin-induced crystallization of amorphous silicon under the influence of different types of laser irradiation was investigated using the method of Raman scattering by thin-film Si - Sn - Si structures. The dependences of the size and concentration of Si nanocrystals on the power of laser radiation was experimentally evaluated and analyzed. As sources of excitation pulse laser radiation with the pulses duration equal to 20 ns and 150 mu s and wavelengths equal to 535 and 1070 nm was used. The possibility of efficient tin-induced transformation of silicon from amorphous phase to crystalline one in the 200-nm thick layers of a-Si under the action of laser pulses with duration equal to 20 ns was shown. The spatial and temporal distributions of laser induced temperature rise was calculated to interpret experimental results. Попередній перегляд: Завантажити - 1.015 Mb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
8.	Neimash V. B. Tin-induced crystallization of amorphous silicon assisted by a pulsed laser irradiation [Електронний ресурс] / V. B. Neimash, V. V. Melnyk, L. L. Fedorenko, P. Ye. Shepeliavyi, V. V. Strelchuk, A. S. Nikolayenko, M. V. Isaiev, A. G. Kuzmich // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 4. - С. 396-405. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_4_4 The process of tin-induced crystallization of amorphous silicon under the influence of different types of laser irradiation was investigated using the method of Raman scattering by thin-film Si - Sn - Si structures. The dependences of the size and concentration of Si nanocrystals on the power of laser radiation was experimentally evaluated and analyzed. As sources of excitation pulse laser radiation with the pulses duration equal to 20 ns and 150 mu s and wavelengths equal to 535 and 1070 nm was used. The possibility of efficient tin-induced transformation of silicon from amorphous phase to crystalline one in the 200-nm thick layers of a-Si under the action of laser pulses with duration equal to 20 ns was shown. The spatial and temporal distributions of laser induced temperature rise was calculated to interpret experimental results. Попередній перегляд: Завантажити - 351.628 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
9.	Neimash V. B. Formation of silver nanoparticles in PVA-PEG hydrogel under electron irradiation [Електронний ресурс] / V. B. Neimash, H. D. Kupianskyi, I. V. Olkhovyk, V. I. Styopkin, P. M. Lytvynchuk, V. Yu. Povarchuk, I. S. Roguts'kyi, Yu. A. Furmanov, S. M. Titarenko // Ukrainian journal of physics. - 2019. - Vol. 64, № 1. - С. 41-47. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2019_64_1_8 Попередній перегляд: Завантажити - 830.452 Kb Зміст випуску Цитування
10.	Neimash V. B. Influence of laser light on the formation and properties of silicon nanocrystals in a-Si/Sn layered structures [Електронний ресурс] / V. B. Neimash, A. S. Nikolenko, V. V. Strelchuk, P. Ye. Shepelyavyi, P. M. Litvinchuk, V. V. Melnyk, I. V. Olkhovyk // Ukrainian journal of physics. - 2019. - Vol. 64, № 6. - С. 522-531. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2019_64_6_10 Попередній перегляд: Завантажити - 1 Mb Зміст випуску Цитування
11.	Neimash V. B. Formation of nanocrystals and their properties during tin induced and laser light stimulated crystallization of amorphous silicon [Електронний ресурс] / V. B. Neimash, A. S. Nikolenko, V. V. Strelchuk, P. Ye. Shepeliavyi, P. M. Litvinchuk, V. V. Melnyk, I. V. Olhovik // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2019. - Vol. 22, № 2. - С. 206-214. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2019_22_2_13 The effect of laser light intensity and temperature on the induced tin crystallization of amorphous silicon has been investigated using the methods of Raman scattering and optical microscopy. The existence of non-thermal mechanisms of the laser light influence on formation of silicon nanocrystals and their Raman spectra has been experimentally demonstrated. Photoionization of silicon and electron-phonon interaction are considered as possible reasons for the detected effects. The prospects of their application in new technologies providing production of nano-silicon films for solar cells have been discussed. Попередній перегляд: Завантажити - 944.732 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
12.	Neimash V. B. Radiation Technology for the Manufacture of Medical Products with Nanosilver: from Development to Commercialization [Електронний ресурс] / V. B. Neimash // Science and innovation. - 2022. - Vol. 18, № 5. - С. 69-84. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/scinsinna_2022_18_5_9 Попередній перегляд: Завантажити - 1.187 Mb Зміст випуску Цитування
13.	Neimash V. B. The role of tin in the formation of micro- and nano-structured surfaces of layered Si–Sn–Si films [Електронний ресурс] / V. B. Neimash, P. E. Shepelyavyi, A. S. Nikolenko, V. V. Strelchuk, V. I. Chegel, I. V. Olkhovyk, S. O. Voronov // Ukrainian journal of physics. - 2023. - Vol. 68, № 4. - С. 284-291. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2023_68_4_9 Попередній перегляд: Завантажити - 1.17 Mb Зміст випуску Цитування

Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів

Пам`ятка користувача

Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського